DDR DRAM, 64MX16, 450ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
| 针数 | 84 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 450 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
| 长度 | 12.5 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 84 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.55 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.007 A |
| 最大压摆率 | 0.28 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.55 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MT47R64M16HR-3:G | MT47R256M4HQ-3:G | MT47R128M8HQ-3:G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 64MX16, 450ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | DDR DRAM, 256MX4, 450ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | DDR DRAM, 128MX8, 450ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | BGA, | BGA, BGA60,9X11,32 |
| 针数 | 84 | 60 | 60 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 450 ns | 450 ns | 450 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH | SELF CONTAINED REFRESH | SELF CONTAINED REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 |
| 内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 4 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 84 | 60 | 60 |
| 字数 | 67108864 words | 268435456 words | 134217728 words |
| 字数代码 | 64000000 | 256000000 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 64MX16 | 256MX4 | 128MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | BGA | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.55 V | 1.55 V | 1.55 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz | - | 333 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | - | 4,8 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装等效代码 | BGA84,9X15,32 | - | BGA60,9X11,32 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.55 V | - | 1.55 V |
| 刷新周期 | 8192 | - | 8192 |
| 连续突发长度 | 4,8 | - | 4,8 |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 0.8 mm |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 厂商名称 | - | Micron Technology | Micron Technology |
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