SI584DY放大器基础信息：
SI584DY是一款BUFFER。常用的包装方式为SOP, SOP14,.25
SI584DY放大器核心信息：
SI584DY的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。25℃下的最大偏置电流为：5 µA
厂商给出的SI584DY的最大压摆率为17 mA，而最小压摆率为200 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，SI584DY增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200 MHz。
SI584DY的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为：+-5 V。SI584DY的输入失调电压为8200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
SI584DY的相关尺寸：
SI584DY拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：14
SI584DY放大器其他信息：
其温度等级为：INDUSTRIAL。SI584DY不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G14。其对应的的JESD-609代码为：e0。SI584DY的封装代码是：SOP。
SI584DY封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。SI584DY封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。
SI584DY放大器基础信息：
SI584DY是一款BUFFER。常用的包装方式为SOP, SOP14,.25
SI584DY放大器核心信息：
SI584DY的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。25℃下的最大偏置电流为：5 µA
厂商给出的SI584DY的最大压摆率为17 mA，而最小压摆率为200 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，SI584DY增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200 MHz。
SI584DY的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为：+-5 V。SI584DY的输入失调电压为8200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
SI584DY的相关尺寸：
SI584DY拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：14
SI584DY放大器其他信息：
其温度等级为：INDUSTRIAL。SI584DY不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G14。其对应的的JESD-609代码为：e0。SI584DY的封装代码是：SOP。
SI584DY封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。SI584DY封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP14,.25 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 8200 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| SI584DY | SI584DJ | |
|---|---|---|
| 描述 | Buffer Amplifier, 4 Func, BIPolar, PDSO14, | Buffer Amplifier, 4 Func, BIPolar, PDIP14, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP |
| 包装说明 | SOP, SOP14,.25 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz | 200 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 8200 µV | 8200 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 电源 | +-5 V | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 200 V/us | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA | 17 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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