SE530FE放大器基础信息：
SE530FE是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,
SE530FE放大器核心信息：
SE530FE的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.2 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，SE530FE的标称压摆率有35 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，SE530FE增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。
SE530FE的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。SE530FE的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
SE530FE的相关尺寸：
SE530FE的宽度为：7.62 mm，长度为9.955 mmSE530FE拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
SE530FE放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。SE530FE的封装代码是：DIP。SE530FE封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
SE530FE封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
SE530FE放大器基础信息：
SE530FE是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,
SE530FE放大器核心信息：
SE530FE的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.2 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，SE530FE的标称压摆率有35 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，SE530FE增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。
SE530FE的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。SE530FE的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
SE530FE的相关尺寸：
SE530FE的宽度为：7.62 mm，长度为9.955 mmSE530FE拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
SE530FE放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。SE530FE的封装代码是：DIP。SE530FE封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
SE530FE封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.2 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| 长度 | 9.955 mm |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 35 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SE530FE | SE530N | NE530FE | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, | DIP, DIP8,.3 | DIP, |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.2 µA | - | 0.2 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | - | 90 dB |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV | - | 7000 µV |
| 长度 | 9.955 mm | - | 9.955 mm |
| 负供电电压上限 | -22 V | - | -18 V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 35 V/us | - | 35 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V | - | 18 V |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz | - | 3000 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
| 厂商名称 | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
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