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SG2004J-JAN

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小436KB,共10页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SG2004J-JAN概述

Small Signal Bipolar Transistor

SG2004J-JAN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-CDIP-T16
元件数量7
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准MIL-M38510/14104BEA
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.6 V
Base Number Matches1

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SG2000
HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
Description
The SG2000 series integrates seven NPN Darlington
pairs with internal suppression diodes to drive lamps,
relays, and solenoids in many military, aerospace, and
industrial applications that require severe environments.
All units feature open collector outputs with greater than
50V breakdown voltages combined with 500mA current
carrying capabilities.
Five different input configurations provide optimized
designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or CMOS
drive signals. These devices are designed to operate
from -55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin
dual in line ceramic (J) package and 20 pin Leadless
Chip Carrier (LCC). The plastic
SOIC
(DW) is
designed to operate over the commercial temperature
range of 0°C to 70°C.
Features
Seven
NPN
Darlington
Pairs
-55°C to 125°C
Ambient Operating Temperature
Range
Collector
Currents
to 600mA
Output
Voltages
from 50V to 95V
Internal
Clamping Diodes
for
Inductive Loads
DTL, TTL, PMOS, or CMOS
Compatible Inputs
Hermetic
Ceramic Package
High Reliability Features
Following are the high reliability features of SG2000
series:
Available To MIL-STD-883 – 883, ¶ 1.2.1
Available to DSCC
- Standard Microcircuit Drawing (SMD)
MIL-M38510/14101BEA -
SG2001J-JAN
MIL-M38510/14102BEA -
SG2002J-JAN
MIL-M38510/14103BEA -
SG2003J-JAN
MIL-M38510/14104BEA -
SG2004J-JAN
-
MSC-AMS Level "S" Processing Available
Partial Schematics
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k
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k
Figure 1 ·
Partial Schematics
December
2014 Rev. 1.4
www.microsemi.com
© 2014 Microsemi Corporation
1

SG2004J-JAN相似产品对比

SG2004J-JAN SG2001J-JAN SG2003LT/R
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-20
包装说明 IN-LINE, R-CDIP-T16 IN-LINE, R-CDIP-T16 CHIP CARRIER, S-CQCC-N20
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-CDIP-T16 S-CQCC-N20
元件数量 7 7 7
端子数量 16 16 20
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
极性/信道类型 NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL QUAD
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 1.6 V 1.6 V 1.6 V
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 HIGH RELIABILITY CMOS COMPATIBLE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
参考标准 MIL-M38510/14104BEA MIL-M38510/14101BEA -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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