SG2001L/883B: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-20; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小262KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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SG2001L/883B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-20

SG2001L/883B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, S-CQCC-N20
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	1000
JESD-30 代码	S-CQCC-N20
JESD-609代码	e0
元件数量	7
端子数量	20
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.6 V
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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