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HY62U8400ALLG-85E

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
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文件大小251KB,共10页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62U8400ALLG-85E概述

Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32

HY62U8400ALLG-85E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明0.525 INCH, SOP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.498 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.2015 mm
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