Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM514100DLTT-8

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HM514100DLTT-8: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小273KB，共26页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM514100DLTT-8概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-26/20

HM514100DLTT-8规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2,
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
长度	17.14 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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HM514100D Series

4,194,304-word

1-bit Dynamic RAM

ADE-203-680 (Z)

Preliminary

Rev. 0.0

Dec. 3, 1996

Description

The Hitachi HM514100D is a CMOS dynamic RAM organized 4,194,304 word

1-bit. HM514100D has

realized higher density, higher performance and various functions by employing 0.8

µm

CMOS process

technology and some new CMOS circuit design technologies. The HM514100D offers Fast Page Mode

as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the HM514100D to be packaged in standard

300-mil 26-pin plastic SOJ and 26-pin plastic TSOP II.

Features

•

Single 5 V (±10%)

•

High speed



Access time : 60 ns/70 ns/80 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode : 605 mW/550 mW/495 mW (max)



Standby mode : 11 mW (max)

0.55 mW (max) (L-version)

•

Fast page mode capability

•

1024 refresh cycles : 16 ms

: 128 ms (L-version)

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh

•

Test function

•

Battery backup operation (L-version)

Preliminary: This document contains information on a new product. Specifications and information

contained herein are subject to change without notice.

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