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SB3H100-E3

产品描述DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小322KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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SB3H100-E3概述

DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

SB3H100-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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SB3H90 & SB3H100
New Product
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Schottky Rectifier
High Barrier Technology for improved
high temperature performance
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
j
max.
3.0 A
90 V, 100 V
100 A
0.65 V
20 µA
175 °C
DO-201AD
Features
Guardring for overvoltage protection
Low power losses and high efficiency
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
High frequency operation
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
DO-201AD
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity:
Color band denotes the cathode end
Typical Applications
For use in middle voltage high frequency inverters,
free wheeling, dc-to-dc converters, and polarity pro-
tection applications
Maximum Ratings
T
A
= 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum working reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
= 90 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Peak repetitive reverse surge current at t
p
= 2.0 µs, 1 KHz
Critical rate of rise of reverse voltage
Storage temperature range
Maximum operating junction temperature
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
RRM
dv/dt
T
STG
T
J
SB3H90
90
90
90
3.0
100
1.0
10000
- 55 to + 175
175
SB3H100
100
100
100
Unit
V
V
V
A
A
A
V/µs
°C
°C
Document Number 88720
23-Dec-05
www.vishay.com
1

SB3H100-E3相似产品对比

SB3H100-E3 SB3H90-E3
描述 DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode DIODE 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DO-201AD DO-201AD
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 90 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE

 
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