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HY62UF16101LLM-15I

产品描述Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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文件大小135KB,共9页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62UF16101LLM-15I概述

Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62UF16101LLM-15I规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度6.3 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6.2 mm
Base Number Matches1

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HY62UF16101 Series
64Kx16bit full CMOS SRAM
DESCRIPTION
The HY62UF16101 is a high speed, low power
and 1M bit full CMOS SRAM organized as 65,536
words by 16bit. The HY62UF16101 uses high
performance full CMOS process technology and
designed for high speed low power circuit
technology. It is particularly well suited for used in
high density low power system application. This
device has a data retention mode that guarantees
data to remain valid at a minimum power supply
voltage of 1.5V.
FEATURES
Fully static operation and Tri-state output
TTL compatible inputs and outputs
Battery backup(LL-part)
- 1.5V(min) data retention
Standard pin configuration
- 48ball uBGA
Product
Voltage
Speed
Operation
Standby Current(uA)
No.
(V)
(ns)
Current(mA)
LL-part
HY62UF16101
3.0
100/120/150
15
15
HY62UF16101-I
3.0
100/120/150
15
15
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature
2. Current value is max.
Temperature
(°C)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
PIN CONNECTION
( Top View )
/OE
IO9
IO10 IO11
IO12 NC
Vcc IO13
A6
A7
NC
A1
A2
NC
BLOCK DIAGRAM
/CS IO1
IO2 IO3
Vcc
IO5 Vss
IO7
IO14 A14 A15
IO16 NC
A8
A9
A13 /WE IO8
A10
NC
PIN DESCRIPTION
Pin Name
/CS
/WE
/OE
/LB
/UB
Pin Funtion
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)
Upper Byte Control(I/O9~I/O16)
Pin Name
I/O1~I/O16
A0~A15
Vcc
Vss
NC
Pin Funtion
Data Input/Output
Address Input
Power( 2.7V ~ 3.3V )
Ground
No Connection
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.04 /Mar.99
Hyundai Semiconductor

HY62UF16101LLM-15I相似产品对比

HY62UF16101LLM-15I HY62UF16101LLM-10I HY62UF16101LLM-15 HY62UF16101LLM-12I
描述 Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 64KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA,
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 100 ns 150 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1
长度 6.3 mm 6.3 mm 6.3 mm 6.3 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.95 mm 0.95 mm 0.95 mm 0.95 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.2 mm 6.2 mm
Base Number Matches 1 1 1 -
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