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SB10-03A2-BT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB10-03A2-BT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon

SB10-03A2-BT规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Ordering number : EN2929A
Schottky Barrier Diode
SB10-03A2/SB10-03A3
30V, 1.0A Rectifier
Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).
Features
• Low forward voltage (V
F
max=0.55V).
• Fast reverse recovery time (trr max=30ns).
• Low switching noise.
• Average rectified current (Io=1.0A).
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse
Surge Voltage
Average Rectified Current
V
RRM
V
RSM
Io
SB10-03A2
50Hz, resistive load, sine wave, Ta=50°C
(L=8mm, 10×10mm
2
print land)
SB10-03A3
50Hz, resistive load, sine wave, Ta=46°C
(L=3mm, 5×5mm
2
print land)
50Hz sine wave, 1 cycle
30
35
1.0
unit
V
V
A
1.0
A
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
I
FSM
Tj
Tstg
40
125
–40 to +125
min
typ
A
°C
°C
max
0.55
1.0
30
140
unit
V
mA
ns
°C/W
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Forward Voltage
Reverse Current
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
(Junction-Ambient)
V
F
I
R
trr
Rth(j-a)
I
F
=1.0A
V
R
=30V
I
FM
=1A, –di/dt=50A/µs
No fin, device only
[SB10-03A2]
Package Dimensions
1208
(unit : mm)
[SB10-03A3]
Package Dimensions
1209
(unit : mm)
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN
O0797GI/D198TA, TS No.2929-1/3

SB10-03A2-BT相似产品对比

SB10-03A2-BT SB10-03A2-AT1 SB10-03A3-BT SB10-03A3-AT1
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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