NAND512W3B2AV1E,NAND512W3B2AV1E pdf中文资料,NAND512W3B2AV1E引脚图,NAND512W3B2AV1E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512W3B2AV1E: 产品描述64MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48; 产品类别存储存储; 文件大小943KB，共58页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND512W3B2AV1E概述

64MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	15.4 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	512
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.71,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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