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NDB6060/L86Z

产品描述48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小163KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDB6060/L86Z概述

48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB6060/L86Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)48 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)400 pF
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)144 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)210 ns
最大开启时间(吨)320 ns
Base Number Matches1

NDB6060/L86Z相似产品对比

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描述 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ 200 mJ 200 mJ 200 mJ 200 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.025 Ω 0.025 Ω 0.025 Ω 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 400 pF 400 pF 400 pF 400 pF 400 pF
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 100 W 100 W 100 W 100 W 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 144 A 144 A 144 A 144 A 144 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES NO NO
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns
最大开启时间(吨) 320 ns 320 ns 320 ns 320 ns 320 ns
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN - -
厂商名称 - - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
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