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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDB6060LL99Z

NDB6060LL99Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小171KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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NDB6060LL99Z概述

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

NDB6060LL99Z规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	48 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NDB6060LL99Z相似产品对比

	NDB6060LL99Z	NDP6060LJ69Z	NDB6060LS62Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ	200 mJ	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	48 A	48 A	48 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω	0.025 Ω	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A	144 A	144 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN
Base Number Matches	1	1	-

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