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DS1250WP-100-IND

产品描述Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS,
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文件大小189KB,共11页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1250WP-100-IND概述

Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS,

DS1250WP-100-IND规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
端子数量34
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码MODULE,34LEAD,1.0
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
Base Number Matches1

DS1250WP-100-IND相似产品对比

DS1250WP-100-IND DS1250WP-100 DS1250W-100-IND DS1250W-150-IND
描述 Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 100 ns 100 ns 100 ns 150 ns
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 34 34 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装等效代码 MODULE,34LEAD,1.0 MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY IN-LINE MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.085 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
厂商名称 - DALLAS DALLAS DALLAS

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