Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS,
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 100 ns |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 34 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00015 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
Base Number Matches | 1 |
DS1250WP-100-IND | DS1250WP-100 | DS1250W-100-IND | DS1250W-150-IND | |
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描述 | Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 150 ns |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
端子数量 | 34 | 34 | 32 | 32 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 | MODULE,34LEAD,1.0 | DIP32,.6 | DIP32,.6 |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | IN-LINE | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A |
最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.085 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
厂商名称 | - | DALLAS | DALLAS | DALLAS |
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