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MMBZ5247BD87Z

产品描述Zener Diode, 17V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小164KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMBZ5247BD87Z概述

Zener Diode, 17V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

MMBZ5247BD87Z规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压17 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
最大电压容差5%
工作测试电流7.4 mA
Base Number Matches1

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Zeners MMBZ5221B-MMBZ5257B
Zeners
MMBZ5221B-MMBZ5257B
Tolerance = 5%
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
T
STG
T
J
Parameter
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
T
A
= 25°C unless otherwise noted
3
Value
350
-55 to +150
+150
Units
mW
°C
°C
1
2
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
operations.
SOT-23
CONNECTION
DIAGRAM
3
1
2 NC
Electrical Characteristics
Device
MMBZ5221B
MMBZ5223B
MMBZ5226B
MMBZ5227B
MMBZ5228B
MMBZ5229B
MMBZ5230B
MMBZ5231B
MMBZ5232B
MMBZ5233B
MMBZ5234B
MMBZ5235B
MMBZ5236B
MMBZ5237B
MMBZ5238B
MMBZ5239B
MMBZ5240B
MMBZ5241B
MMBZ5242B
MMBZ5243B
MMBZ5244B
MMBZ5245B
MMBZ5246B
MMBZ5247B
Mark
18A
18C
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
8S
8T
8U
8V
8W
8X
V
Z
(V)
2.4
2.7
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
T
A
=25°C unless otherwise noted
Z
Z
(Ω) @ I
Z
(mA)
30
20
30
20
28
20
24
20
23
20
22
20
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
19
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
Z
ZK
(Ω) @ I
ZK
(mA)
1,200
0.25
1,300
0.25
1,600
0.25
1,700
0.25
1,900
0.25
1,000
0.25
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
(µA) @ V
R
(V)
µ
100
1.0
75
1.0
25
1.0
15
1.0
10
1.0
5.0
1.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
8.1
9.9
10
11
12
13
V
F
Forward Voltage = 0.9V Maximum @ I
F
= 10mA for all MMBZ5200 series
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBZ5221B-MMBZ5257B, Rev. A2

MMBZ5247BD87Z相似产品对比

MMBZ5247BD87Z MMBZ5253BD87Z
描述 Zener Diode, 17V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional Zener Diode, 25V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称参考电压 17 V 25 V
表面贴装 YES YES
技术 ZENER ZENER
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
最大电压容差 5% 5%
工作测试电流 7.4 mA 5 mA
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