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HY5117404BSLR-50

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
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文件大小247KB,共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5117404BSLR-50概述

EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

HY5117404BSLR-50规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-R, TSOP24/26,.36
针数26
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e0
长度17.14 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装等效代码TSOP24/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0004 A
最大压摆率0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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