LMV721MWC放大器基础信息：
LMV721MWC是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, WAFER
LMV721MWC放大器核心信息：
LMV721MWC的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为260
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LMV721MWC的标称压摆率有5.25 V/us。厂商给出的LMV721MWC的最大压摆率为1.7 mA.其最小电压增益为1000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LMV721MWC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为10000 kHz。LMV721MWC的功率为NO。其可编程功率为NO。
LMV721MWC的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。LMV721MWC的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LMV721MWC的相关尺寸：
其端子位置类型为：UPPER。
LMV721MWC放大器其他信息：
LMV721MWC采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LMV721MWC的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：INDUSTRIAL。
而其湿度敏感等级为：1。其不属于微功率放大器。LMV721MWC不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：X-XUUC-N。LMV721MWC的封装代码是：DIE。
LMV721MWC封装的材料多为UNSPECIFIED。而其封装形状为UNSPECIFIED。LMV721MWC封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。
LMV721MWC放大器基础信息：
LMV721MWC是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, WAFER
LMV721MWC放大器核心信息：
LMV721MWC的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为260
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LMV721MWC的标称压摆率有5.25 V/us。厂商给出的LMV721MWC的最大压摆率为1.7 mA.其最小电压增益为1000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LMV721MWC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为10000 kHz。LMV721MWC的功率为NO。其可编程功率为NO。
LMV721MWC的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。LMV721MWC的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LMV721MWC的相关尺寸：
其端子位置类型为：UPPER。
LMV721MWC放大器其他信息：
LMV721MWC采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LMV721MWC的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：INDUSTRIAL。
而其湿度敏感等级为：1。其不属于微功率放大器。LMV721MWC不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：X-XUUC-N。LMV721MWC的封装代码是：DIE。
LMV721MWC封装的材料多为UNSPECIFIED。而其封装形状为UNSPECIFIED。LMV721MWC封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | WAFER |
| 包装说明 | DIE, WAFER |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 标称共模抑制比 | 89 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装等效代码 | WAFER |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | 2.2/5 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 5.25 V/us |
| 最大压摆率 | 1.7 mA |
| 供电电压上限 | 5.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 10000 kHz |
| 最小电压增益 | 1000 |
| 宽带 | NO |
| Base Number Matches | 1 |
| LMV721MWC | LMV721MDC | |
|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | WAFER | WAFER |
| 包装说明 | DIE, WAFER | DIE, DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 标称共模抑制比 | 89 dB | 89 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 3000 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | X-XUUC-N | X-XUUC-N |
| 低-偏置 | NO | NO |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE | DIE |
| 封装等效代码 | WAFER | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | 2.2/5 V | 2.2/5 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 5.25 V/us | 5.25 V/us |
| 最大压摆率 | 1.7 mA | 1.7 mA |
| 供电电压上限 | 5.5 V | 5.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 10000 kHz | 10000 kHz |
| 最小电压增益 | 1000 | 1000 |
| 宽带 | NO | NO |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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