K4B2G0446B-HCF70,K4B2G0446B-HCF70 pdf中文资料,K4B2G0446B-HCF70引脚图,K4B2G0446B-HCF70电路-Datasheet-电子工程世界

K4B2G0446B-HCF70: 产品描述DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共62页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4B2G0446B-HCF70概述

DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数	78
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
JESD-609代码	e1
长度	11.5 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	78
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	512MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	8
最大待机电流	0.012 A
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

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