Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IR230DM16CCBPBF

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IR230DM16CCBPBF: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小154KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IR230DM16CCBPBF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER

IR230DM16CCBPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	WAFER
包装说明	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1600 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

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Bulletin I0117J 09/00

IR230DM16CCB

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Reference IR Packaged Part:

Square 230 mils

1600 V

Glassivated MOAT

40EPS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum Forward Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Units

1050 mV

1600 V

(**)

Test Conditions

= 25°C, I

= 20 A

= 25°C, I

RRM

= 100 µA

(*)

Nitrogen flow on die edge.

(**)

Wafer and die Probe test clamped at 1200V to limit arcing.

1600V BV testable only in encapsulated packages

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

230 x 230 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

330 µm, ± 10 µm

45 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR230DM16CCBPBF相似产品对比

	IR230DM16CCBPBF	IR230DM16C	IR230DM16CPBF
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER
是否Rohs认证	符合	不符合	符合
零件包装代码	WAFER	WAFER	WAFER
包装说明	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N
元件数量	1	1	1
相数	1	1	1
端子数量	1	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1600 V	1600 V	1600 V
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	40
是否无铅	不含铅	-	不含铅
厂商名称	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）

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