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SHB80F

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 8000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小188KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SHB80F概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 8000V V(RRM), Silicon,

SHB80F规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)13 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.025 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压8000 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

SHB80F相似产品对比

SHB80F SHB50F SHB60F
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 8000V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 5000V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 6000V V(RRM), Silicon,
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 13 V 8 V 13 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.025 A 0.04 A 0.025 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 8000 V 5000 V 6000 V
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 -
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