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GS8662T18E-200I

产品描述DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共34页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662T18E-200I概述

DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165

GS8662T18E-200I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明15 X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1
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