电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SMBG58A-51

产品描述600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

SMBG58A-51概述

600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

SMBG58A-51规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-215AA
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压71.2 V
最小击穿电压64.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-215AA
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压58 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SMBG5.0 thru 188CA
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Stand-off Voltage
5.0 to 188V
Peak Pulse Power
600W
Surface Mount T
RANS
Z
ORB
®
Transient Voltage Suppressors
DO-215AA (SMBG)
Cathode Band
0.083 (2.10)
0.077 (1.96)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
ed e
end ang
Ext e R
ltag
Vo
Dimensions in inches
and (millimeters)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
Mounting Pad Layout
0.165 (4.19)
0.085 (2.16)
0.060(1.27)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.016 (0.41)
0.006 (0.15)
0.058 (1.47)
0.038 (0.97)
0.020
(0.51) Max.
0.255 (6.48)
0.235 (5.97)
0.095 (2.41)
0.075 (1.90)
0.030 (0.76)
0.015 (0.38)
SEATING
PLANE
Features
• Underwriters Laboratory Recognition under UL standard
for safety 497B: Isolated Loop Circuit Protection
• Low profile package with built-in strain relief for surface
mounted applications
• Glass passivated junction
• Low incremental surge resistance, excellent clamping
capability
• 600W peak pulse power capability with a 10/1000µs
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%
• Very fast response time
• High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-215AA molded plastic over
passivated junction
Terminals:
Solder plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
For unidirectional types the band denotes the
cathode, which is positive with respect to the anode
under normal TVS operation
Weight:
0.003 oz., 0.093 g
Flammability:
Epoxy is rated UL 94V-0
Packaging Codes – Options (Antistatic):
51 – 2K per Bulk box, 20K/carton
52 – 750 per 7" plastic Reel (12mm tape), 15K/carton
5B – 3.2K per 13" plastic Reel (12mm tape), 32K/carton
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g. SMBJ10C, SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Peak pulse power dissipation with
a 10/1000µs waveform
(1)(2)
(Fig. 1)
Peak pulse current with a 10/1000µs waveform
(1)
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
uni-directional only
(2)
Typical thermal resistance, junction to ambient
(4)
Typical thermal resistance, junction to lead
Operating junction and storage temperature range
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
Value
Minimum 600
See Table Below
100
100
20
–55 to +150
Unit
W
A
A
°C/W
°C/W
°C
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25°C per Fig. 2
(2) Mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pads to each terminal
(3) Mounted on minimum recommended pad layout
Document Number 88456
24-Jul-03
www.vishay.com
1
TTL与CMOS电路的区别
今天面试闹的一个让我苦笑不得的大笑话,老总,问我什么是TTL电平,什么是CMOS电平,它们有什么区别? 我紧张到考都不用考虑就说:TTL就是0和1;当时老总笑了,我回答过后才发现自己才胡扯, ......
TopMars 模拟电子
【T叔藏书阁】飞思卡尔相关资料专辑
本帖最后由 tyw 于 2018-1-16 14:44 编辑 老T选了一些飞思卡尔的资料。希望大家喜欢! 340346飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)是全球领先的半导体公司,全球总部位于美国德州的奥斯 ......
tyw 下载中心专版
干货 两种常见热插拔浪涌电流控制方案科普
作者:柚子 在平时的设计研发工作中,工程师们常常会用到热插拔浪涌电流控制电路,来进行滤波和充电电流限制。而针对设计要求,合理选择热插拔浪涌电路的控制方案,也是非常重要的。在今天的 ......
木犯001号 电源技术
EEworld测评达人申请及管理规则
bg10.pngEEworld测评达人申请及管理规则 EEWORLD“测评活动”改版升级,全新上线!!!测评报告写作指南测评类活动基本规则 为好了更的规范和管理EEWORLD测评达人团队,提高测评达人素质和水 ......
okhxyyo 为我们提建议&公告
[GD32L233C] + 7.在RTthread下使用ds18b20温度传感器
本帖最后由 chrisrh 于 2022-3-7 12:55 编辑 在RTT_Nano的基础上,增加对ds18b20传感器的读取: ①首先在头文件中进行宏定义,这里选用的是PB8口 #define DS18B20_CLK RCU_GPIOB ......
chrisrh GD32 MCU
2013 Silicon Labs & EDOM新品巡演及应用技术研讨会
129954 2013年Silicon Labs & EDOM新品巡演及应用技术研讨会携全新产品方案10月全面启程!研讨会从10月24日至11月7日共历经北京、上海、成都、深圳和厦门5个城市,为业界工程师展示Silicon L ......
EEWORLD社区 综合技术交流

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1215  2367  1148  1915  2238  21  29  3  33  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved