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SFT16GAMP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小287KB,共4页
制造商Fagor Electrónica
标准
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SFT16GAMP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41,

SFT16GAMP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SFT14G ........ SFT18G
1.0 Amp. Glass Passivated Ultrafast Recovery Rectifier
Voltage
200V to 600V
Current
1.0 A
R
DO-41 Mini
FEATURES
• Ultrafast recovery time for high efficiency
• Low power losses
• Low forward voltage drop
• High forward surge current capability
• Solder dip 260ºC, 10s
• AEC-Q101 qualified
• Component in accordance to RoHS 2011/65/EU
and WEEE 2002/96/EC
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260º C
MECHANICAL DATA
• Case
:
DO-41 Mini. Epoxy meets UL 94V-0
flammability rating.
• Polarity
:
Color band denotes cathode end.
• Terminals
:
Matte tin plated leads, solderable per
MIL-STD-750 Method 2026, J-STD-002 and JESD22-B102.
Consumer grade, meets JESD 201 class 1A whisker test.
TYPICAL APPLICATIONS
Used in high frequency rectifier of switching mode power
supplies, inverters, freewheeling diodes, dc-to-dc converters,
and other power switching application.
Maximun Ratings and Electrical Characteristics at 25 °C
Marking Code
V
RRM
V
RMS
V
DC
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage (V)
Maximum RMS Voltage (V)
Maximum DC Blocking Voltage (V)
Maximum Average Forward Rectified Current
9.5mm Lead Length @ T
A
= 55 °C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
SFT14G
200
140
200
SFT16G
400
280
400
1.0 A
SFT18G
600
420
600
I
F(AV)
I
FSM
t
rr
C
j
T
j
T
stg
30 A
35 ns
20 pF
-65 to +150 °C
-65 to +150 °C
10 pF
Maximum Reverse Recovery Time from
I
F
= 0.5A; I
R
= 1A; I
RR
= 0.25A
Typical Junction Capacitance at 1 MHz
and reverse voltage of 4V
DC
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C
V
F
I
R
R
th (j-a)
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ I
F
= 1.0 A
Maximum DC Reverse Current @ Ta = 25 °C
at Rated DC Blocking Voltage @ Ta =125°C
Typical Thermal Resistance
(See note)
0.95 V
1.3 V
5 µA
100 µA
100 °C/W
1.7 V
NOTE: Mount on Cu-Pad size 5mm x 5mm on PCB.
www.fagorelectronica.com
Document Name: sft1g
Revision: 1
Version: Jun-16
Page Number: 1/4

SFT16GAMP相似产品对比

SFT16GAMP SFT14GTR
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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