电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PTVA120501EAV1R0XTMA1

产品描述RF Power Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小545KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

PTVA120501EAV1R0XTMA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
PTVA120501EAV1R0XTMA1 - - 点击查看 点击购买

PTVA120501EAV1R0XTMA1概述

RF Power Field-Effect Transistor,

PTVA120501EAV1R0XTMA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
PTVA120501EA
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
50 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz
Description
The PTVA120501EA LDMOS FET is designed for use in power ampli-
fier applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features
include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down
flange. Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, this
device provides excellent thermal performance and superior reliability.
PTVA120501EA
Package H-36265-2
Features
V
DD
= 50 V, I
DQ
= 50 mA, T
CASE
= 25°C,
300 µs pulse width, 10% duty cycle
60
55
Efficiency
Power Sweep, Pulsed RF
70
Broadband input matching
High gain and efficiency
Typical Pulsed CW performance, 1200 – 1400MHz,
50 V, 300 µs pulse width, 10 % duty cycle, class AB
- Output power at P
1dB
=
54 W
- Efficiency = 55%
- Gain = 16 dB
Integrated ESD protection
Low thermal resistance
Pb-free and RoHS compliant
Capable of withstanding a
10:1 load
mismatch
(all phase angles) at 50 W peak under RF pulse,
300 μS, 10% duty cycle.
Drain Efficiency (%)
60
50
Output Power
P
OUT
(dBm)
50
45
40
35
30
40
30
20
10
1200 MHz
1300 MHz
1400 MHz
18
22
26
30
34
a120501ea_g1-1
38
P
IN
(dBm)
RF Characteristics
Pulsed RF Performance
(tested in Infineon test fixture)
V
DD
= 50 V, I
DQ
= 50 mA, P
OUT
= 50
W, ƒ
1
= 1200 MHz, ƒ
2
= 1300 MHz,
ƒ
3
= 1400 MHz, 300 μs pulse width, 10 % duty
cycle
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Return Loss
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Symbol
G
ps
Min
16.5
46
Typ
17
50
–10
Max
–7
Unit
dB
%
dB
h
D
IRL
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Data Sheet
1 of 10
Rev. 02.2, 2017-02-07
嵌入式开发主要应用java的哪部分?
嵌入式开发主要应用java的哪部分?(java东西太多不想花太多时间研究) 嵌入式开发主要应用C语言的哪部分?...
oooooooooo 嵌入式系统
【求助】CC1100使用问题,有关CRC_AUTOFLUSH,求教各位大侠
小弟新学CC1100芯片,配合MSP430一起使用。最近配置CC1100时,发现PKTCTRL1.CRC_AUTOFLUSH 位如果使能的话,就接收不到数据了。在PKTCTRL0中的CRC_EN已经打开。其他配置不变,如果CRC_AUTOFLUSH ......
anthony5000 无线连接
板子功耗高的原因有哪些
低功耗蓝牙应用对功耗要求越低越好,功耗越低电池续航时间就越长,用户体验就越好。当你发现你板子功耗偏高时,建议按照如下步骤进行自检:1) 确认理论功耗值。BLE功耗跟广播间隔或者连接 ......
vicky-666 无线连接
高速缓冲放大器的选择
有哪位朋友知道 ,那款高速缓冲放大器能够实现下图的 指标:file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\2639761103\QQ\WinTemp\RichOle\}S7)41CRN2MT(Z{}}`Q5XJD.png ...
如霜 模拟电子
大家好,我是个新人,想问下大家STC89C51的一些问题
STC89C51的性能特点是什么?跟AT89C51系列相比有什么优势?...
koenigseggkill 51单片机
MSP430程序库---SPI同步串行通信
SPI总线系统是一种同步串行外设接口;是一种高速的,全双工,同步的通信总线,并且在芯片的管脚上只占用四根线,节约了芯片的管脚,同时为PCB的布局上节省空间,提供方便,正是出于这种简单易 ......
fish001 微控制器 MCU

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1908  2881  1515  2724  665  25  56  34  6  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved