电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANS1N6150

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共5页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
下载文档 详细参数 全文预览

JANS1N6150在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JANS1N6150 - - 点击查看 点击购买

JANS1N6150概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JANS1N6150规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压19.8 V
击穿电压标称值22 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压31.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压16.7 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N6138 thru 1N6173
1500W Bipolar Transient
Voltage Suppressors
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
BR MIN
= 6.12 -180V
I
(BR)
= 5mA - 175mA
V
RWM
= 5.2 - 152V
V
C
(max) = 11V - 286V
Features
Low dynamic impedance
1500 watt peak pulse power
7.5W continuous at T
L
= 25°C
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.
They can be supplied fully released as JANTX
,JANTXV and JANS versions.
Electrical Specifications
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Device
Type
Minimum
Breakdow n
Voltage
V
(BR)
@ I
(BR)
Volts
Test
Working
Current Pk. Reverse
I
(BR)
Voltage
V
RWM
mA
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
Volts
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
Maximum
Reverse
Current
I
R
µA
500
300
100
100
100
20
20
20
20
20
10
5
5
5
5
5
5
5
Maximum
Clamping
Voltage
V
C
@ I
P
Volts
11.0
11.8
12.7
14.0
15.2
16.3
17.7
19.0
21.9
23.4
26.3
29.0
31.9
34.8
39.2
43.6
47.9
52.3
Maximum
Pk. Pulse
Current I
P
T
P
=
(1)
Amps
136.4
127.1
118.1
107.1
98.7
92.0
84.7
78.9
68.5
64.1
57.0
51.7
47.0
43.1
38.3
34.4
31.3
28.7
Temp.
Coeff. of
V
(BR)
α
(VZ)
% °C
/
0.05
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
Maximum
Reverse
Current
I
R2
@ 150°C
µA
12,000
3,000
2,000
1,200
800
800
600
600
400
400
400
400
400
400
400
400
400
400
1N6138
1N6139
1N6140
1N6141
1N6142
1N6143
1N6144
1N6145
1N6146
1N6147
1N6148
1N6149
1N6150
1N6151
1N6152
1N6153
1N6154
1N6155
6.12
6.75
7.38
8.19
9.0
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18.0
19.8
21.6
24.3
27.0
29.7
32.4
Revision: February 2010
1
www.semtech.com
智能模块IPM在双PWM变频器中的应用
前言 变频技术自发展以来,随着技术的进步,变频器的功率器件也经历了从SCR, GTO到IGBT的发展历程,控制方式也从最初的v/f控制,发展到矢量控制,直接转矩控制。然而,电力变换技术的进步和电 ......
feifei 工业自动化与控制
EDK设计的实现流程
嵌入式设计流程包括硬件设计和调试、软件设计和调试。XPS主要用于嵌入式处理器硬件系统的开发。微处理器、外围设备以及这些组件之间的连接问题,还有它们各自的属性设置都在XPS里进行,但是对 ......
babyfly_blue FPGA/CPLD
振铃现象及解决建议
振铃现象及解决建议由于任何传输线都不可避免地存在着引线电阻、引线电感和杂散电容,因此,一个标准的脉冲信号在经过较长的传输线后,极易产生上冲和振铃现象。大量的实验表明,阴线电阻可使脉 ......
雨后的梧桐 电源技术
详解EMC测试国家标准GB/T 17626
详解EMC测试国家标准GB/T 17626 作者:wcc149 来源:电子电路开发(微信公众号) 0.前言 最近公司的几块板子要做认证,EMC测试自然是少不了,既然要做试验,就要有一个标准,是消 ......
okhxyyo 电源技术
全志V853在 Tina Linux 修改 UART 引脚、UART端口 (2)
#### 场景二:使用UART3,需要从UART0改为UART3(PB6,PB7) 1. 修改`sys_config.fex`(BOOT0与Uboot的串口) `sys_config.fex` 的路径是 `device/config/chips/t113/configs/evb1/sys_con ......
aleksib 国产芯片交流
蓝牙5标准
蓝牙技术联盟正式宣布了蓝牙5.0标准,经过数月的修订,现在标准正式定案并对外发布。其实这一代叫蓝牙5.0是不准确的,因为官方说法是Bluetooth 5,直译为蓝牙5,其中多年的v和。0据说因为拗 ......
Jacktang 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 931  1143  2180  2431  407  44  7  49  45  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved