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SW28KBR635

产品描述DIODE 630 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共1页
制造商IXYS
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SW28KBR635概述

DIODE 630 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

SW28KBR635规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MUPM-D2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.51 V
JESD-30 代码O-MUPM-D2
最大非重复峰值正向电流14600 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度160 °C
最大输出电流630 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压2800 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

SW28KBR635相似产品对比

SW28KBR635 SW26KBN635 SW28KBN635
描述 DIODE 630 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 630 A, 2600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 630 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
包装说明 O-MUPM-D2 O-MUPM-D2 O-MUPM-D2
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ANODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.51 V 1.51 V 1.51 V
JESD-30 代码 O-MUPM-D2 O-MUPM-D2 O-MUPM-D2
最大非重复峰值正向电流 14600 A 14600 A 14600 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 160 °C 160 °C 160 °C
最大输出电流 630 A 630 A 630 A
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 2800 V 2600 V 2800 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
厂商名称 - IXYS IXYS
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