H5TC4G43DFR-H9A,H5TC4G43DFR-H9A pdf中文资料,H5TC4G43DFR-H9A引脚图,H5TC4G43DFR-H9A电路-Datasheet-电子工程世界

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H5TC4G43DFR-H9A: 产品描述DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78; 产品类别存储存储; 文件大小434KB，共33页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H5TC4G43DFR-H9A概述

DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78

H5TC4G43DFR-H9A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	TFBGA,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
长度	11 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	78
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	1GX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.5 mm
Base Number Matches	1

H5TC4G43DFR-H9A相似产品对比

	H5TC4G43DFR-H9A	H5TC4G83DFR-H9A	H5TC4G83DFR-RDA	H5TC4G83DFR-PBA
描述	DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78
长度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	78	78	78	78
字数	1073741824 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	1000000000	512000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	1GX4	512MX8	512MX8	512MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20
宽度	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm
Base Number Matches	1	1	1	-
厂商名称	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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