Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.04ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
AF9902MS | AF9902MSA | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.04ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.04ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8 |
零件包装代码 | SOT | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.3 A | 4.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω | 0.04 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 4 | 4 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A | 20 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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