TLV2432MFK放大器基础信息：
TLV2432MFK是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, LCC-20
TLV2432MFK放大器核心信息：
TLV2432MFK的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TLV2432MFK的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的TLV2432MFK的最大压摆率为0.27 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为500。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TLV2432MFK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为500 kHz。
TLV2432MFK的标称供电电压为3 V。而其供电电源的范围为：3/5 V。TLV2432MFK的输入失调电压为2500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TLV2432MFK的相关尺寸：
TLV2432MFK的宽度为：8.89 mm，长度为8.89 mmTLV2432MFK拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚：20
TLV2432MFK放大器其他信息：
TLV2432MFK采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV2432MFK的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。TLV2432MFK不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。TLV2432MFK的封装代码是：QCCN。TLV2432MFK封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。TLV2432MFK封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.03 mm。
TLV2432MFK放大器基础信息：
TLV2432MFK是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, LCC-20
TLV2432MFK放大器核心信息：
TLV2432MFK的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TLV2432MFK的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的TLV2432MFK的最大压摆率为0.27 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为500。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TLV2432MFK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为500 kHz。
TLV2432MFK的标称供电电压为3 V。而其供电电源的范围为：3/5 V。TLV2432MFK的输入失调电压为2500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TLV2432MFK的相关尺寸：
TLV2432MFK的宽度为：8.89 mm，长度为8.89 mmTLV2432MFK拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚：20
TLV2432MFK放大器其他信息：
TLV2432MFK采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV2432MFK的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。TLV2432MFK不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。TLV2432MFK的封装代码是：QCCN。TLV2432MFK封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。TLV2432MFK封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.03 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | CERAMIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比 | 83 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 2500 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.25 V/us |
| 最大压摆率 | 0.27 mA |
| 供电电压上限 | 12 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 500 kHz |
| 最小电压增益 | 500 |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
电源技术
嵌入式系统
嵌入式系统
测试/测量
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