EDI8LM32257V20AM,EDI8LM32257V20AM pdf中文资料,EDI8LM32257V20AM引脚图,EDI8LM32257V20AM电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI8LM32257V20AM: 产品描述Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,; 产品类别存储存储; 文件大小234KB，共6页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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EDI8LM32257V20AM概述

Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,

EDI8LM32257V20AM规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	32
端子数量	68
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.44 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

EDI8LM32257V20AM相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,	Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	20 ns	15 ns	20 ns	15 ns	12 ns	20 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32
端子数量	68	68	68	68	68	68	68
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-	-55 °C
组织	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.44 mA	0.46 mA	0.44 mA	0.46 mA	0.48 mA	0.44 mA	0.46 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
厂商名称	-	White Electronic Designs Corporation	-	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation

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