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MMBT1616AY

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小241KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT1616AY概述

Transistor

MMBT1616AY规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)135
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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UTC MMBT1616/A
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
DESCRIPTION
*Audio frequency power amplifier
*Medium speed switching
2
1
MARKING
3
MMBT1616
16
SOT-23
MMBT1616A
16A
1: EMITTER
2: BASE
3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Storage Temperature
Junction Temperature
Total Power Dissipation (Ta=25°C)
Collector to Base Voltage:
1616
1616A
Collector to Emitter Voltage: 1616
1616A
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (*Pulse)
Note: (*) Pulse width≤10ms, Duty cycle<50%
VEBO
Ic
Ic
VCEO
SYMBOL
Tstg
Tj
Pc
VCBO
VALUE
-55 ~+150
150
750
60
120
50
60
6
1
2
UNIT
°C
°C
mW
V
V
V
A
A
CHARACTERISTICS
(Ta=25°C)
CHARACTERISTIC
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
SYMBOL
ICBO
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB= 6V
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V, IC=50mA
MIN.
TYP.
MAX.
100
100
0.3
1.2
700
UNIT
nA
nA
V
V
mV
600
0.15
0.9
640
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R206-036,A

MMBT1616AY相似产品对比

MMBT1616AY MMBT1616AG
描述 Transistor Transistor
Reach Compliance Code compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 135 200
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W
表面贴装 YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1

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