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MMBT1616A

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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MMBT1616A概述

Transistor,

MMBT1616A规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)81
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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BL
Galaxy Electrical
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
Audio frequency power amplifier.
Medium speed switching.
Production specification
MMBT1616A
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
General purpose application, switching application.
ORDERING INFORMATION
Type No.
MMBT1616A
Marking
16A
SOT-23
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction and Storage Temperature
Value
120
60
6
1000
350
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
Document number: BL/SSSTC070
Rev.A
www.galaxycn.com
1
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