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M29DW323DB90ZE1T

产品描述2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
产品类别存储    存储   
文件大小334KB,共50页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M29DW323DB90ZE1T概述

2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48

2M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 70 ns, PBGA48

M29DW323DB90ZE1T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间90 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,63
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm
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