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M29F200B-55N6R

产品描述2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小22KB,共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M29F200B-55N6R概述

2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F200B-55N6R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm

 
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