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M29W040B90N6

产品描述512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PQCC32
产品类别存储    存储   
文件大小149KB,共20页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M29W040B90N6在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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M29W040B90N6概述

512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PQCC32

512K × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 90 ns, PQCC32

M29W040B90N6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
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