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NMC27C512AN200

产品描述IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小47KB,共2页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC27C512AN200概述

IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM

NMC27C512AN200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.725 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.334 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

NMC27C512AN200相似产品对比

NMC27C512AN200
描述 IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合
包装说明 PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最长访问时间 200 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0
长度 35.725 mm
内存密度 524288 bit
内存集成电路类型 OTP ROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 28
字数 65536 words
字数代码 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 64KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 5.334 mm
最大待机电流 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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