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MT28C256532W18DFT-F605P70TBWT

产品描述Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, FBGA-88
产品类别存储    存储   
文件大小249KB,共15页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT28C256532W18DFT-F605P70TBWT概述

Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, FBGA-88

MT28C256532W18DFT-F605P70TBWT规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA,
针数88
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 8M X 16 FLASH
JESD-30 代码R-PBGA-B88
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量88
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm
Base Number Matches1
疑问:lm3s 图形显示程序
GrCircleDraw(sContext, 40, 105, 25);GrContextFontSet(sContext, g_sFontCmss16);GrStringDrawCentered(sContext, "PWM2", -1, 40, 105, 0);GrContextFontSet(sContext, g_sFontCmss26b);GrStringDrawCentered(sCo...
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