ZBT SRAM, 128KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LQFP, |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 9 ns |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 2359296 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
MT55L128L18F1T-12 | MT55L64L36F1T-10 | MT55L128L18F1T-10 | MT55L64L36F1T-12 | MT55L64L32F1T-12 | MT55L64L32F1T-10 | |
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描述 | ZBT SRAM, 128KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ZBT SRAM, 64KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ZBT SRAM, 128KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ZBT SRAM, 64KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ZBT SRAM, 64KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ZBT SRAM, 64KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | QFP | QFP | QFP | QFP | QFP | QFP |
包装说明 | LQFP, | LQFP, | LQFP, | LQFP, | LQFP, | LQFP, |
针数 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | not_compliant | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 9 ns | 7.5 ns | 7.5 ns | 9 ns | 9 ns | 7.5 ns |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
内存密度 | 2359296 bit | 2359296 bit | 2359296 bit | 2359296 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 | 36 | 18 | 36 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
字数 | 131072 words | 65536 words | 131072 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 128000 | 64000 | 128000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128KX18 | 64KX36 | 128KX18 | 64KX36 | 64KX32 | 64KX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP | LQFP | LQFP | LQFP | LQFP | LQFP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | - | 3 | 3 |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | 225 | - | 225 | 225 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | - | 30 | 30 |
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