SDF50N40JAMZD1N,SDF50N40JAMZD1N pdf中文资料,SDF50N40JAMZD1N引脚图,SDF50N40JAMZD1N电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SDF50N40JAMZD1N

SDF50N40JAMZD1N: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小150KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

下载文档详细参数选型对比全文预览

SDF50N40JAMZD1N概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SDF50N40JAMZD1N规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A
最大漏极电流 (ID)	50 A
最大漏源导通电阻	0.12 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-P5
元件数量	2
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	500 W
最大功率耗散 (Abs)	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	219 ns
最大开启时间（吨）	173 ns
Base Number Matches	1

SDF50N40JAMZD1N相似产品对比

	SDF50N40JAMZD1N	SDF50N40JAMWSN	SDF50N40JAMZU1N	SDF50N40JAMWD1N	SDF50N40JAMESN	SDF50N40JAMEU1N	SDF50N40JAMWU1N	SDF50N40JAMZSN	SDF50N40JAMED1N
描述	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P5
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
配置	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
最大漏极电流 (ID)	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
最大漏源导通电阻	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5	R-MSFM-P5
元件数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	5	5	5	5	5	5	5	5	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W
最大功率耗散 (Abs)	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns
最大开启时间（吨）	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns
厂商名称	-	-	-	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc

推荐资源

由运算放大器LM386构成的实用放大电路f

3.5V电源、工作稳定的低电压、低功耗基准电压发生电路

笨蛋的提问，真诚求教（嵌入式）？: [[color=#000000]color=#000000][[/color]b]我是一个很笨的大一的专科生，学的专业是嵌入式，现在很迷茫，不知道该怎么发展？我的理想是嵌入式系统设计师。1.我不是很了解这个行业的特点，发展要求，职业要求，未来趋势，市场需求？2.嵌入式系统设计是偏软还是偏硬？3.我必须掌握些什么？4.嵌入式系统设计师该职业对人的性格要求是什么？备注：1我很笨，但是愿意努力，我很想改...; kccch 嵌入式系统

cpld输出频率可变的方波问题: 菜鸟想用cpld实现输出频率可调的方波外部用个电位器加个a/d 通过调节电位器能实现么？有什么好的方法啊...; jiliyate FPGA/CPLD

ZYNQ无法通过JTAG烧录至NAND Flash: 板子用的是EBAZ4205的矿板，自己编译了uboot想烧录进NAND，烧录的时候出现如下提示，烧录不成功，一直是failed -12NAND write: device 0 offset 0x200000, size 0x12800NAND write to offset 200000 failed -120 bytes written: ERRORZynq Program Operation ...; duanks FPGA/CPLD

纳米测量与DUT的电连接的秘密: 为了与纳米器件[1]或者元件实现电接触，必需提供相应的夹具、显微镜和探针系统[2]。当今的纳米研究者正在使用诸如原子力显微镜、扫描电子显微镜和聚焦离子束工具等手段来实现器件的可视化、对其执行机械测量并进行I－V特性测量[3]。要实现微米和纳米尺度上的研发、甚至生产应用，就需要纳米操纵器等工具。这些系统可以拥有多达4个的定位器，用于通过实现4轴运动来完成纳米尺度样品的抓握、移动、测试和最优定位。这就...; Jack_ma 测试/测量

最伤害女人健康的几类早餐: 一日之计在于晨，早餐为人体提供一天最重要的营养，作为女人，你是否在早餐的合理安排下深度思考过了呢？下面就由健康专家为你介绍哪几类早餐不宜女性朋友食用。一.过于冰凉的果蔬汁很多女生喜欢一早喝蔬果汁，虽说可以提供蔬果中直接的营养及清理体内废物，但大家忽略了一个最重要的关键，那就是人的体内永远喜欢温暖的环境，身体温暖，微循环才会正常，氧气、营养及废物等的运送才会顺畅。这些早餐错误你还在犯吗?所以吃早餐...; woven 聊聊、笑笑、闹闹

.功率放大电路: 9.功率放大电路1.与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是。无输出变压器能量效率高无交越失真2.所谓效率是指 _________ 。输出功率与晶体管上消耗的功率之比最大不失真输出功率与电源提供的功率之比输出功率与电源提供的功率之比3.功放电路的效率主要与 _________ 有关。电源供给的直流功率电路输出信号最大功率电路的工作状态4.甲类功率放大电路的能量转换效率最高是。50%...; fighting 模拟电子

太空机器人在空间站会干什么

俄罗斯22日在哈萨克斯坦境内拜科努尔发射场成功发射一枚运载火箭，将“联盟MS-14”飞船送入预定轨道飞往国际空间站。值得关注的是，这艘飞船上并没有宇航员，唯一的“乘客”是一个人形智能机器人。这个代号为F-850的太空机器人代表Final Experimental Demonstraon Object Research （FEDOR），被俄亲切的称为“费多尔”。 “费多尔”机器人原型机...[详细]
基于C8051F的恒温箱控温系统

引言恒温箱根据控制温度可分为低温（室温以下）恒温箱和高温（室温以上）恒温箱，加热控制恒温箱是高温恒温箱的一种，在工业、医疗以及科研实验中有广泛的应用。在一些特殊的恒温箱控制系统中，对温度测量、控制的精度要求非常高，本测控系统测温范围在18℃到60℃之间，测温精度要求优于±0.05℃。采用DSP、ARM等32位CPU可实现实时处理等较高的要求，但普通的控制系统中DSP、ARM的很多资源不能利...[详细]
基于CAN总线的智能超声液位变送器系统设计

现场总线是用于现场仪表与控制系统和控制室之间的一种全分散、全数字化、智能、双向、互连、多变量、多点、多站的通信网络。CAN(Controller Area Network，控制器局域网)是德国Bosch公司在80年代初为解决现代汽车中大量的控制与测试仪器之间的数据交换而提出的一种串行数据通信协议。CAN总线是国际上应用最广泛的现场总线之一，由于采用了许多新技术以及独特的设计，与一般的通信总线相比，...[详细]
Gartner 2022年云平台服务技术成熟度曲线

确定两项技术将在两年内达到生产成熟期 2022年全球iPaaS终端用户支出将增长18.5% 【2022年8月26日】Gartner 2022年云平台服务技术成熟度曲线显示，集成平台即服务（iPaaS）和低代码应用平台（LCAP）技术将在不到两年的时间内达到生产成熟期（Plateau of Productivity）。技术达到生产成熟期的标志是该技术的现实影响得到证明和接受。随着越...[详细]
高通发布骁龙780G 5G芯片：5nm工艺 CPU提升最大45%

高通公司今天公布了下一款骁龙 7 系列处理器，名称为骁龙 780G 5G，采用三星 5nm 工艺，代号 SM7350-AB。新的芯片组将旨在提供更好的 AI 性能、更好的相机体验和 5G 支持，以及一些高级功能。　　骁龙 780G SoC 基于八核架构，是骁龙 768G 的继任者，将瞄准低预算的 5G 智能手机。德国媒体 WinFuture 认为，新的高通 780G 处理器将为即将到...[详细]
基于LPC2214的家庭智能终端的设计与实现

智能家居是指利用先进的计算机技术、网络通信技术、综合布线技术，将与家居生活有关的名种子系统有机地结合，通过统筹管理，使家居生活更加舒适、安全、有效。作为小区智能化的重要组成部分，智能家居平台是通过其核心——家庭智能终端实现家居智能化。智能家居终端可实现系统信息的采集、信息输入、逻辑处理、信息输出、联动控制等功能。早期的家庭智能终端网络是基于电话网实现远程监控和远程控制。由于电话网络的带宽限制以及较...[详细]
LED应用于城市夜景照明的五个独特优势

可用于夜景照明的光源有很多种，在选择光源时我们应该主要从效果、性能和成本上去考虑。在比较不同解决方案的成本时，不单是比较光源价格，更应进行全寿命期的综合经济分析比较，因为一些高效、长寿命光源，虽价格较高，但使用数量减少，运行维护费用降低，经济上和技术上是合理的。　　夜景照明中所采用的传统光源，如白炽灯和卤素灯，即点即亮，具有很好的显色性；但其发光效率低，寿命也相对较短，因而...[详细]
基于图像处理的型坯直径非接触测量方法研究设计

　　1 引言　　挤出吹塑成型是一种生产塑料容器的加工过程，型坯的成型是挤出吹塑中一个相当重要的阶段。型坯成型对吹塑制品的性能与成本均有很大影响，若能在这个阶段在线检测出型坯吹胀前的尺寸，则可用最少的原料消耗获得所要求的制品性能。目前，国内外较先进的型坯壁厚的控制也只是根据型坯在长度方向上的位置查表得出厚度设定值，然后用PLC等设备进行(开环)程序控制，并不能形成闭环控制，而且要经过不断地尝试...[详细]
基于CAN总线技术的汽车仪表软件实现方案

引言　　随着汽车上的电子装置越来越多，汽车网络应运而生，控制器局域网（CAN，Controller Area Network）开始大量应用与汽车之上。如何利用汽车网络中的信息，以便于司机与乘客了解车辆信息，是一项需要展开的研究。本研究从CAN总线获取汽车仪表板所需的数据，并在液晶显示屏上动态显示，这一系列任务在硬件支持的情况下全部由高级语言编程实现。 1、CAN总线技术　　目前存在多...[详细]
微软解释为什么不在Win11任务栏时钟上显示秒数

IT之家 4 月 17 日消息，在 Windows 10 系统中，用户可通过注册表值“ShowSecondsInSystemClock”手动开启任务栏的时钟秒数，而在 Windows 11 中则取消了这一功能。　　近日，微软对这一更改做出了解释。据微软官员称，已完全删除该功能，原因之一是性能。　　微软表示，虽然现在的电脑内存都比较大了，显示秒数不是问题，但在任务栏上显示秒数所需的频...[详细]
智能仪器仪表的网络化体系结构与特点

智能仪器是计算机技术与测试技术相结合的产物，仪器内部带有处理能力很强的智能软件。仪器仪表已不再是简单的硬件实体，而是硬件、软件相结合。近年来，智能仪器已开始从较为成熟的数据处理向知识处理发展，使其功能向更高层次发展。 1 智能仪器的发展 20世纪90年代以来，仪器仪表的智能化突出表现在以下几个方面： (2) 微型化。微电子技术、微机械技术、信息技术等的...[详细]
LED散热基板技术发展趋势分析

　　1、前言　　随着全球环保的意识抬头，节能省电已成为当今的趋势。 LED 产业是近年来最受瞩目的产业之一。发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期长、且不含汞，具有环保效益…等优点。然而通常LED高功率产品输入功率约为20%能转换成光，剩下80%的电能均转换为热能。　　一般而言，LED发光时所产生的热能若无法导出，将会使LED结面温度过高，进而影响产品生命...[详细]
2009年终大盘点：太阳能光伏产业十大事件

1.太阳能电池组件价格如坐“过山车”。2009年，连续5年保持攀升的太阳能电池组件价格突然出现了大幅下跌，平均价格从2008年的$3.25跌至$1.90，到2009年底，甚至出现了$1.40/Wp的低价，但是，这一有利的价格受益于规模较大的企业，其他企业仍然承受着巨大的购买压力。　　 2.令人困惑的光伏发电安装量。2009年初，根据市场需求，全球的光伏发电安装量约有2 gigawatt...[详细]
两年完成全部量产认证黑芝麻智能大算力自动驾驶芯片年内上车

国产大算力芯片上车进入倒计时阶段！就在本周，国内自动驾驶芯片公司黑芝麻智能宣布，其华山二号A1000芯片已经投入规模生产，并开始向行业客户持续发货，将于今年年内实现量产上车。观察整个量产自动驾驶市场，L2级自动驾驶早已成为十万元级新车的标配。到了2022年，人们对自动驾驶功能有了更多的期待，导航辅助驾驶、城市自动驾驶、自主代客泊车……大算力自动驾驶芯片自然成为实现这些功能必不可少的条...[详细]
电动自行车应用中的MCU

可编程SOC器件不但可作为电机控制、模拟测量以及直接驱动LCD显示屏的统一电路板系统用于电动自行车应用，而且还能支持电容式感应技术以取代键盘上的机械按键。此外，SOC器件还能利用内部PWM、MUX和比较器来驱动和控制三相电机，利用内部ADC和PGA来支持传感器输入电池监控，以及利用热敏电阻或RTD等温度感应器件来实现温度感应。该器件不但能直接驱动继电器，以支持刹车灯、车头灯和转向灯，而且能直接驱...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多