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GP801DDS18

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1800V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小142KB,共10页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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GP801DDS18概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1800V V(BR)CES, N-Channel

GP801DDS18规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)800 A
集电极-发射极最大电压1800 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X12
元件数量2
端子数量12
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1500 ns
标称接通时间 (ton)650 ns
Base Number Matches1
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