512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
最小工作温度 | 0.0 Cel |
最大工作温度 | 70 Cel |
额定供电电压 | 3.3 V |
最小供电/工作电压 | 3 V |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
加工封装描述 | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
状态 | Transferred |
ype | NOR TYPE |
sub_category | Flash Memories |
ccess_time_max | 90 ns |
boot_block | BOTTOM |
command_user_interface | YES |
data_polling | YES |
endurance | 100000 Write/Erase Cycles |
jesd_30_code | R-PDSO-G48 |
存储密度 | 8.39E6 bit |
内存IC类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
备用存储器宽度 | 8 |
umber_of_sectors_size | 1,2,1,15 |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 512KX16 |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
ckage_code | TSOP1 |
ckage_equivalence_code | TSSOP48,.8,20 |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
串行并行 | PARALLEL |
wer_supplies__v_ | 3/3.3 |
gramming_voltage__v_ | 2.7 |
qualification_status | COMMERCIAL |
eady_busy | YES |
seated_height_max | 1.2 mm |
sector_size__words_ | 16K,8K,32K,64K |
standby_current_max | 1.00E-4 Amp |
最大供电电压 | 0.0200 Amp |
表面贴装 | YES |
工艺 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.5000 mm |
端子位置 | DUAL |
ggle_bi | YES |
length | 18.4 mm |
width | 12 mm |
dditional_feature | 20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK |
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