M29W800DB90N1F,M29W800DB90N1F pdf中文资料,M29W800DB90N1F引脚图,M29W800DB90N1F电路-Datasheet-电子工程世界

M29W800DB90N1F: 产品描述512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小279KB，共41页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M29W800DB90N1F概述

512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48

512K × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 90 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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