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IDT7M208S35CB

产品描述FIFO, 64KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS
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文件大小178KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M208S35CB概述

FIFO, 64KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS

IDT7M208S35CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
最大时钟频率 (fCLK)22.5 MHz
周期时间45 ns
JESD-30 代码R-XDMA-T28
JESD-609代码e0
内存密度589824 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.048 A
最大压摆率0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

IDT7M208S35CB相似产品对比

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描述 FIFO, 64KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 64KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 128KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 64KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 128KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 128KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 128KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 64KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 25 ns 25 ns 30 ns 35 ns 20 ns 30 ns 20 ns
周期时间 45 ns 35 ns 35 ns 40 ns 45 ns 30 ns 40 ns 30 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 589824 bit 589824 bit 1179648 bit 589824 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 589824 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 65536 words 65536 words 131072 words 65536 words 131072 words 131072 words 131072 words 65536 words
字数代码 64000 64000 128000 64000 128000 128000 128000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C
组织 64KX9 64KX9 128KX9 64KX9 128KX9 128KX9 128KX9 64KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO NO NO NO NO
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.72 mA 0.56 mA 0.56 mA 0.72 mA 0.72 mA 0.56 mA 0.72 mA 0.56 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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