电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

UPD44164084F5-E30-EQ1

产品描述DDR SRAM, 2MX8, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小213KB,共32页
制造商NEC(日电)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

UPD44164084F5-E30-EQ1概述

DDR SRAM, 2MX8, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165

UPD44164084F5-E30-EQ1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.27 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
Base Number Matches1

UPD44164084F5-E30-EQ1相似产品对比

UPD44164084F5-E30-EQ1 UPD44164084F5-E33-EQ1 UPD44164184F5-E30-EQ1 UPD44164184F5-E33-EQ1 UPD44164364F5-E33-EQ1 UPD44164364F5-E30-EQ1
描述 DDR SRAM, 2MX8, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 DDR SRAM, 2MX8, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 DDR SRAM, 1MX18, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 DDR SRAM, 1MX18, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 DDR SRAM, 512KX36, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 DDR SRAM, 512KX36, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compli compli compli compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 0.27 ns 0.29 ns - 0.29 ns 0.29 ns 0.27 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE - PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 - R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
长度 15 mm 15 mm - 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bi - 18874368 bi 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM - DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 8 8 - 18 36 36
功能数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 165 165 - 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words - 1048576 words 524288 words 524288 words
字数代码 2000000 2000000 - 1000000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 2MX8 2MX8 - 1MX18 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA - BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES - YES YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL - BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm - 13 mm 13 mm 13 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 202  370  811  1116  1239 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved