DDR SRAM, 2MX8, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA, |
针数 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 0.27 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | DDR SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 2MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 13 mm |
Base Number Matches | 1 |
UPD44164084F5-E30-EQ1 | UPD44164084F5-E33-EQ1 | UPD44164184F5-E30-EQ1 | UPD44164184F5-E33-EQ1 | UPD44164364F5-E33-EQ1 | UPD44164364F5-E30-EQ1 | |
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描述 | DDR SRAM, 2MX8, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | DDR SRAM, 2MX8, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | DDR SRAM, 1MX18, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | DDR SRAM, 1MX18, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | DDR SRAM, 512KX36, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | DDR SRAM, 512KX36, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, |
针数 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compli | compli | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 0.27 ns | 0.29 ns | - | 0.29 ns | 0.29 ns | 0.27 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | - | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | - | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 | e0 |
长度 | 15 mm | 15 mm | - | 15 mm | 15 mm | 15 mm |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bi | - | 18874368 bi | 18874368 bit | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | DDR SRAM | DDR SRAM | - | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | - | 18 | 36 | 36 |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 | - | 165 | 165 | 165 |
字数 | 2097152 words | 2097152 words | - | 1048576 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 2000000 | 2000000 | - | 1000000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | 2MX8 | 2MX8 | - | 1MX18 | 512KX36 | 512KX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA | - | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | BALL | BALL | - | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | - | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 13 mm | 13 mm | - | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
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