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KSV2110

产品描述Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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KSV2110概述

Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

KSV2110规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容39 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数150
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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GLASS - LEADED
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
KSV2101 - KSV2115
PART
NUMBER
KSV2101
KSV2102
KSV2103
KSV2104
KSV2105
KSV2106
KSV2107
KSV2108
KSV2109
KSV2110
KSV2111
KSV2112
KSV2113
KSV2114
KSV2115
CAPACITANCE
@ 4 Vdc
f = 1 MHz (pF)
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
MIN QUALITY FACTOR
Q @ 4 Vdc
f = 50 MHz
450
450
400
400
400
350
350
300
200
150
150
150
150
100
100
CAPACITANCE RATIO
f = 1 MHz C•2V / C•30V
MIN
MAX
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.5
3.2
2.6
3.3
2.6
3.3
2.6
3.3
2.6
3.3
Package Style
DC Power Dissipation
Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
@ Ta = 25°C
@ 10µA
@ Ta = 25° C
Standard Device
Suffix A
DO-7
400 mW
30 V Min
0.1 µA @ 25 Vdc
-65 to + 175° C
-65 to + 200° C
±10%
±5%
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558
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