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2SK3430

产品描述SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
文件大小42KB,共4页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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2SK3430概述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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PRELIMINARY DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3430
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
2SK3430
2SK3430-S
2SK3430-Z
PACKAGE
TO-220AB
TO-262
TO-220SMD
DESCRIPTION
The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
Super low on-state resistance:
5
5
R
DS(on)1
= 7.3 mΩ MAX. (V
GS
= 10 V, I
D
= 40 A)
R
DS(on)2
= 15 mΩ MAX. (V
GS
= 4 V, I
D
= 40 A)
Built-in gate protection diode
(TO-220AB)
5
Low C
iss
: C
iss
= 2800 pF TYP.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
P
T
T
ch
T
stg
Note2
Note2
40
±20
±80
±200
84
1.5
150
–55 to +150
37
137
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
Total Power Dissipation (T
C
= 25°C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
5
5
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
I
AS
E
AS
(TO-220SMD)
Notes 1.
PW
10
µ
s, Duty cycle
1 %
2.
Starting T
ch
= 25 °C, R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
0 V
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case
Channel to Ambient
Rth(ch-C)
Rth(ch-A)
1.49
83.3
°C/W
°C/W
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No.
D14599EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published March 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
5
shows major revised points.
©
1999,2000

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2SK3430 2SK3430-S 2SK3430-Z
描述 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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