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2SK3351

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK3351概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN

2SK3351规格参数

参数名称属性值
Objectid2000366762
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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注文コード No. N 7 7 6 4
2SK3351
2SK3351
特長
・½オン抵抗。
・4V 駆動。
・超高速スイッチング用。
N チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
DC / DC コンバータ用
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
記号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
条件
定格値
30
± 20
30
60
1
30
150
− 55 ∼+ 150
unit
V
V
A
A
W
W
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
記号
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=15A
ID=15A, VGS=10V
ID=4A, VGS=4.5V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
1.0
14
20
11
15
1450
420
210
14
355
110
15
21
条件
定格値
min
30
typ
max
1
± 10
2.4
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
120
ns
次ページへ続く。
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
(生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎½藤 TA-2617 No.7764-1/4

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