10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | HOLLOW-EMITTER |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-218 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 55 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 44 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 2850 ns |
| 最大开启时间（吨） | 1000 ns |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
| SGSIF441 | SGSF341 | SGSF441 | SGSIF341 | SGSF541 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compli | _compli | compliant |
| 其他特性 | HOLLOW-EMITTER | HOLLOW-EMITTER | HOLLOW-EMITTER | HOLLOW-EMITTER | HOLLOW-EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| JEDEC-95代码 | TO-218 | TO-220AB | TO-218 | TO-220AB | TO-3 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 55 W | 85 W | 95 W | 40 W | 115 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 44 W | 95 W | 115 W | 40 W | 105 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 2850 ns | 2850 ns | 2850 ns | 2850 ns | 2850 ns |
| 最大开启时间（吨） | 1000 ns | 1000 ns | 1000 ns | 1000 ns | 1000 ns |
| VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | - | ISOLATED | COLLECTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 | 5 | - | 5 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - | e0 | e0 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 厂商名称 | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
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