MT75W8Y136HBB-66,MT75W8Y136HBB-66 pdf中文资料,MT75W8Y136HBB-66引脚图,MT75W8Y136HBB-66电路-Datasheet-电子工程世界

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MT75W8Y136HBB-66: 产品描述Content Addressable SRAM, 4KX272, CMOS, PBGA272, HSBGA-272; 产品类别存储存储; 文件大小880KB，共41页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT75W8Y136HBB-66概述

Content Addressable SRAM, 4KX272, CMOS, PBGA272, HSBGA-272

MT75W8Y136HBB-66规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA272,20X20,50
针数	272
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
其他特性	PIPIELINED ARCHITECTURE; ALSO CONFIGURABLE AS 16K X 68
备用内存宽度	136
JESD-30 代码	S-PBGA-B272
JESD-609代码	e1
长度	27 mm
内存密度	1114112 bit
内存集成电路类型	CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度	272
功能数量	1
端子数量	272
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX272
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA272,20X20,50
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.46 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	27 mm
Base Number Matches	1

MT75W8Y136HBB-66相似产品对比

	MT75W8Y136HBB-66	MT75W16Y136HBB-66	MT75W16Y136HBB-100
描述	Content Addressable SRAM, 4KX272, CMOS, PBGA272, HSBGA-272	Content Addressable SRAM, 8KX272, CMOS, PBGA272, HSBGA-272	Content Addressable SRAM, 8KX272, CMOS, PBGA272, HSBGA-272
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA272,20X20,50	HSBGA-272	HSBGA-272
针数	272	272	272
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
其他特性	PIPIELINED ARCHITECTURE; ALSO CONFIGURABLE AS 16K X 68	PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO CONFIGURABLE AS 32K X 68	PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO CONFIGURABLE AS 32K X 68
备用内存宽度	136	136	136
JESD-30 代码	S-PBGA-B272	S-PBGA-B272	S-PBGA-B272
JESD-609代码	e1	e0	e0
长度	27 mm	27 mm	27 mm
内存密度	1114112 bit	2228224 bit	2228224 bi
内存集成电路类型	CONTENT ADDRESSABLE SRAM	CONTENT ADDRESSABLE SRAM	CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度	272	272	272
功能数量	1	1	1
端子数量	272	272	272
字数	4096 words	8192 words	8192 words
字数代码	4000	8000	8000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX272	8KX272	8KX272
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA272,20X20,50	BGA272,20X20,50	BGA272,20X20,50
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.8,3.3 V	1.8,3.3 V	1.8,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.46 mm	2.46 mm	2.46 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	27 mm	27 mm	27 mm
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
厂商名称	-	Micron Technology	Micron Technology
峰值回流温度（摄氏度）	-	235	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	NOT SPECIFIED

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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