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HGT1S5N120CNS

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小342KB,共2页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGT1S5N120CNS概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

HGT1S5N120CNS规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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